盛美上海：发布Ultra C wb湿法清洗设备重大升级

7月25日，盛美半导体设备(上海)股份有限公司（以下简称“盛美上海”）宣布对其Ultra C wb湿法清洗设备进行了重大升级。此次全新升级旨在满足先进节点制造工艺的苛刻技术要求。

升级后的Ultra C wb采用了专利申请中的氮气（N₂）鼓泡技术，有效解决了湿法刻蚀均匀性差和副产物二次沉积问题。在先进节点制造工艺中，这些问题常见于高深宽比沟槽和通孔结构的传统磷酸湿法清洗工艺。氮气鼓泡技术不但提升了磷酸传输效率，而且提高了湿法刻蚀槽内温度、浓度和流速的均匀性。湿法刻蚀过程中质量传递效率的提高可防止副产物在晶圆微结构内积聚，从而避免二次沉积。这项技术在500层以上的3D NAND，3D DRAM，3D 逻辑器件中有巨大的应用前景。

（来自:盛美上海）