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中微公司: 专利再次荣获中国专利金奖

中微公司:专利再次荣获中国专利金奖

近日,中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”)的发明专利“等离子体处理装置及调节基片边缘制程速率的方法”荣获第二十二届中国专利金奖。

专利号:ZL201210378282.X        专利权人:中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人:叶如彬、尹志尧、倪图强、周宁

中国专利金奖由国家知识产权局与世界知识产权组织共同组织评选,被公认为是我国专利界的最高奖项。本届共评选出30项中国专利金奖,中微公司的发明专利从众多参评专利中脱颖而出。

在等离子体刻蚀工艺中,等离子体中心和边缘分布均匀性至关重要,直接决定了晶圆整体的刻蚀均匀性。随着现有技术对集成电路的尺寸要求越来越小,线宽均匀度要求越来越高。如何提高刻蚀过程中等离子体中心和边缘的分布均匀性,成为制约芯片刻蚀向更小尺寸发展的瓶颈问题,是本领域亟需应对的挑战之一。

中微公司的获奖专利为芯片刻蚀提供了一种动态调节边缘效应的解决方案。通过调节等离子体中心和边缘射频源的功率和相位差,该方案有效解决了等离子体刻蚀领域控制中心区域和边缘区域等离子体分布均匀性这一关键性技术难题,为刻蚀设备更新迭代奠定基础。

此次是中微公司第二次获得中国专利金奖。此前,中微公司的发明专利“感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法”于2013年首次荣获中国专利金奖。

(来自:中微公司)