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下一代EUV光刻机面世背后

下一代EUV光刻机面世背后

2019 年是极紫外(EUV) 光刻技术的重要里程碑。同年,EUV 构图技术首次应用于7nm 技术代逻辑芯片的量产。插入以对芯片后端(BEOL) 的最关键层进行图案化,它能够打印间距高达36-40 纳米的金属线。

2023 年将标志着EUV 光刻技术发展的又一个新的里程碑。届时,新一代EUV 光刻工具有望进入现场:高数值孔径(high-NA)EUV 光刻扫描仪——新设备预计可在较少的图案化步骤中打印2 纳米(及以上)逻辑芯片的最关键特征。瑞利方程再次证明了向高NA 光刻的过渡是合理的,它提供了用于提高分辨率的第二个“旋钮”——增加投影镜头的数值孔径(NA)。NA 控制用于形成图像的光量(更准确地说,衍射级数),从而控制图像的质量。

(来自:半导体行业观察