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大陆第三代半导体SiC和GaN加速发展

大陆第三代半导体SiC和GaN加速发展

关于SiC扩产的消息此起彼伏,SiC的竞争已经白热化,厂商们无不摩拳擦掌,为SiC来临做准备。大陆方面,SiC的项目如雨后春笋,据不完全统计,目前国内SiC项目有104个,GaN项目43个。除了我们所熟知的SiC厂商,各地SiC新项目更是层出不穷。

眉州博雅高性能闪烁晶体项目主要用于扩产和碳化硅的研发生产;第三代半导体SiC实验室项目与阳城开发区负责人达成合作协议,将建设SiC实验室等产业基地,总投资175亿元,形成月产5000片碳化硅功率芯片制造能力;总投资25亿元的上海天岳碳化硅半导体材料项目达产后,形成年产导电型碳化硅晶锭2.6万块,对应衬底产品30万片的生产能力。

GaN领域今年的新项目也不少,晶方科技1000万美元投资以色列半导体领域第三代氮化镓设备龙头VisIC,布局第三代半导体;宏光照明也投资了VisIC,并宣布即将改名为宏光半导体,宣告宏光正式跨入新的第三代半导体时代;大连金普新区管委会与深圳正威集团签署总投资达300亿元的战略合作协议,双方将合作建设以氮化镓半导体为核心的第三代半导体产业基地;赛微电子表示公司在GaN外延晶圆、GaN芯片方面均已有成熟的系列化产品,正以虚拟IDM模式在进行全产业链布局。

(来自:半导体行业观察