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中电科二所:激光剥离设备实现大尺寸工艺迭代

中电科二所激光剥离设备实现大尺寸工艺迭代

中国电子科技集团公司第二研究所(简称“中电科二所”)目前已掌握激光剥离技术原理与工艺基础,实现了4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离,取得突破性进展。

激光剥离设备有机结合激光精密加工和晶体可控剥离,实现半导体晶体高可靠切片工艺,可将晶体切割损耗降低60%以上,加工时间减少50%以上,并实现晶体加工整线的高度自动化。激光剥离可用于碳化硅、氮化镓、金刚石等硬脆半导体材料加工,实现衬底成本的大幅降低,亦可扩展至晶圆减薄、解键合等先进工艺中。

(来自:中电科二所)