48所:首台国产SiC高温退火炉研制成功(2017-12-13)



48所:首台国产SiC高温退火炉研制成功

近日,中国电子科技集团公司底48研究所自主研发的首台国产sic高温退火炉启程发往用户单位。

   SiC高温退火炉主要用于SiC晶圆离子注入掺杂之后的扎制激活及晶格损伤修复,SiC器件制造过程的关键装备之一,攻关团队先后突破了极速升降温离子激活、超净超高温防金属掺杂污染、大范围温度场均匀性控制等多项关键技术,填补了国内空白。

SiC高温退火炉是48所继SiC高温高能离子注入机、SiC外延生长炉之后研制成功的又一台SiC器件制造关键装备,该设备的成功研制标志着在打造宽禁带半导体核心装备局部成套进程中跨出了关键一步。后续将进一步突破SiC高温氧化炉、SiC碳膜溅射镀膜机等关键设备,为实现SiC器件制造整线关键装备的国产化作出更大贡献。

(来自:电科装备)