中微公司：在等离子体刻蚀技术领域再次实现重大突破

近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”或“公司“）宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一(图1)。这是等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破，彰显了中微公司在技术研发上的深厚积累，进一步巩固了公司在高端微观加工设备市场的领先地位。

（来自：中微公司）