搜索

美国升级半导体设备禁令,半导体设备国产化再提速

美国升级半导体设备禁令,半导体设备国产化再提速

2023年10 月17日,美国商务部工业和安全局(BIS)公布新半导体管制规则及新纳入中国企业进入实体清单。新规细化的半导体设备管制范围主要包括:a.外延设备,包括硅、碳掺杂硅、硅锗或碳掺杂硅锗的外延设备;b.离子注入设备;c.刻蚀设备,包括同向干法刻蚀、原子层刻蚀、用于湿法刻蚀且硅锗与硅的刻蚀选择性比为100倍或更高的设备;d.沉积设备,用于金属互联的阻挡层、衬垫层、种子层、顶盖层的金属沉积设备、PECVD设备(碳硬掩模、低氟钨等)、ALD设备等;e.部分光刻设备;f.用于设计EUV掩模的离子束或物理气相沉积设备;g.用于先进节点制造的退火、清洗设备

基于此,国内先进制程过往数年已实现部分工艺突破,先进制程的扩产也已渐行渐近。国内半导体设备厂商仍在进一步加大产品线的研发投入,部分刻蚀、清洗环节已经推进至先进制程节点。其中,涂胶显影、CVD、刻蚀、PVD环节国产化率位于10%~30%之间,清洗(35%)、热处理(40%)、去胶国产化率达到了90%;而ALD、光刻、量检测、离子注入环节国产化率仍然较低,处于5%以下。,带动2024 年半导体设备订单增长。

(来自:集微网