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中国电子专用设备工业协会
捷佳伟创:HJT组件功率再获得突破
捷佳伟创:HJT组件功率再获得突破
1月17日晚间,捷佳伟创公众号发布消息,自去年12月最高功率组件达到738.98W以来,经过不到一个月持续优化,2024年1月捷佳伟创HJT单玻组件功率达到745.33W,双玻单封组件741.66W,纯双玻量产组件最高功率735.79W,以上HJT组件电池端均采用12BB印刷工艺,再次刷新公司HJT组件功率纪录。
本次高效组件所用电池片均来自于捷佳伟创常州中试线,电池片平均转换效率达到25.5%/25.6%(ISFH),其中PECVD采用双面微晶工艺,PVD采用双面VTTO,金属化采用12BB密栅印刷。
目前捷佳伟创的PECVD高速RF微晶P技术,在保证膜层晶化率等性能前提下,沉积速率已从2.0 /s提升到2.4 /s以上,进一步降低了PECVD设备硬件成本。
公司HJT组件功率在短短几个月的时间屡次获得突破,体现了公司设备性能及工艺的优越性和先进性,展示了公司坚持技术研发为核心竞争力的决心。
(来自:捷佳伟创)