捷佳伟创：HJT组件功率再获得突破

捷佳伟创：HJT组件功率再获得突破

　　1月17日晚间，捷佳伟创公众号发布消息，自去年12月最高功率组件达到738.98W以来，经过不到一个月持续优化，2024年1月捷佳伟创HJT单玻组件功率达到745.33W，双玻单封组件741.66W，纯双玻量产组件最高功率735.79W，以上HJT组件电池端均采用12BB印刷工艺，再次刷新公司HJT组件功率纪录。

　　本次高效组件所用电池片均来自于捷佳伟创常州中试线，电池片平均转换效率达到25.5%/25.6%（ISFH），其中PECVD采用双面微晶工艺，PVD采用双面VTTO，金属化采用12BB密栅印刷。

　　目前捷佳伟创的PECVD高速RF微晶P技术，在保证膜层晶化率等性能前提下，沉积速率已从2.0 /s提升到2.4 /s以上，进一步降低了PECVD设备硬件成本。

公司HJT组件功率在短短几个月的时间屡次获得突破，体现了公司设备性能及工艺的优越性和先进性，展示了公司坚持技术研发为核心竞争力的决心。

（来自：捷佳伟创）